近300亿投资落地！5个SiC项目签约、动工、投产，海葭科技领衔产业加速

国内第三代半导体碳化硅（SiC）产业迎来一波密集进展。据行业统计，共有5个SiC相关项目相继完成签约、动工或投产，总投资额接近300亿元，其中海葭科技等企业表现尤为活跃。这一系列动作标志着我国在宽禁带半导体领域的产业化进程正全面提速。

一、项目概览：近300亿资金涌入SiC赛道

本次涉及的5个项目覆盖衬底、外延、器件及模块等产业链关键环节，分布在全国多个半导体产业集聚区。具体来看：

1. 海葭科技SiC衬底项目正式投产：海葭科技宣布其年产10万片6英寸SiC衬底项目已进入量产阶段，产品主要面向新能源汽车和光伏逆变器市场。该项目总投资约50亿元，从开工到投产仅用时18个月，创下行业新速度。
2. 某头部企业8英寸SiC外延片项目签约：计划投资80亿元，建设年产能20万片8英寸SiC外延片产线，预计2025年动工，2027年达产。
3. 车规级SiC模块封装项目动工：总投资60亿元，聚焦新能源汽车主驱逆变器用SiC功率模块，预计2026年建成投产。
4. SiC功率器件晶圆厂扩建项目签约：投资70亿元，新增6英寸SiC器件产能5万片/月，重点突破沟槽栅MOSFET工艺。
5. SiC材料及设备配套项目投产：投资近40亿元，涵盖高纯SiC粉料、长晶炉及外延设备，为产业链上游提供国产化支撑。

上述项目合计投资额达300亿元，预计全部达产后将新增SiC衬底产能超30万片/年、外延片产能20万片/年、器件及模块产能显著提升。

二、海葭科技：从衬底突破到IDM布局

作为本次名单中的亮点企业，海葭科技在SiC衬底领域的技术积累和扩产节奏备受关注。公司凭借自主研发的PVT长晶工艺和缺陷控制技术，已将6英寸衬底微管密度降至0.5个/cm²以下，达到国际先进水平。此次投产的10万片产线将主要供应国内头部器件厂商，并已获得多家车企的长期采购意向。

值得注意的是，海葭科技近期还宣布向下游器件环节延伸，计划在现有衬底基础上建设SiC MOSFET芯片产线，形成“衬底+外延+器件”的垂直一体化（IDM）模式。这一战略若顺利落地，将显著增强其在车规级SiC市场的竞争力。

三、产业背景：SiC需求爆发，国产替代加速

碳化硅作为第三代半导体 representative材料，在新能源汽车800V高压平台、光伏储能、充电桩等领域渗透率快速提升。据行业机构预测，2025年全球SiC功率器件市场规模将突破100亿美元，年复合增长率超过30%。

国内SiC产业链此前在衬底和外延环节仍存在较大进口依赖。近300亿投资的集中落地，尤其是衬底和外延产能的扩张，将有效缓解上游材料瓶颈。海葭科技等企业的投产，有望进一步拉低6英寸SiC衬底价格，推动下游应用加速普及。

与此8英寸SiC的产业化也在加速。本次签约的8英寸外延片项目表明，国内企业正积极布局下一代大尺寸技术，以缩小与国际龙头的差距。

四、挑战与展望

尽管进展喜人，但SiC产业仍面临多重挑战：一是衬底良率提升和成本下降仍需时间；二是8英寸技术尚不成熟，设备与工艺亟待突破；三是车规级器件的可靠性和认证周期较长。近期海外巨头扩产激进，全球SiC市场可能在未来两年出现阶段性供过于求，国内企业需提前做好应对。

近300亿项目的签约动工投产，体现了资本和产业界对SiC赛道的长期信心。以海葭科技为代表的本土企业，正从材料端向上突破，逐步构建自主可控的SiC生态。随着产能释放和技术迭代，中国有望在全球SiC版图中占据更重要的位置。